| 专利名称 | 硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 | 申请号 | CN201210593282.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103911662A | 公开（授权）日 | 2014.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明（设计）人 | 涂小牛;郑燕青;孔海宽;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/30(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I | 专利有效期 | 硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 至硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品，所述方法采用坩埚提拉法生长晶体，包括：在接种工序中，将原料加热至熔化并在高于熔化温度80℃～140℃下保温使熔体稳定，并将籽晶在高于熔化温度10℃～30℃下接触熔体；旋转籽晶并开始提拉生长晶体，其中包括缩颈工序、扩肩工序、等径工序和收尾工序；以及在原位退火工序中，提拉晶体使晶体脱离熔体后保持位置不变并旋转晶体、以10～30℃/h的速率使熔体温度降至1200～1400℃，保持10～30h后以10～30℃/h的速率降至室温。 |
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