| 专利名称 | 压电温度传感器 | 申请号 | CN201410128576.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103900726A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 薛飞;张丽敏;唐伟;张弛;杜伟明;王中林 | 主分类号 | G01K7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 压电温度传感器 至压电温度传感器 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种压电温度传感器。该压电温度传感器可包括：基底，所述基底会受温度变化的影响而产生形变；压电半导体层，由具有压电效应的半导体材料构成，并且被以绝缘的方式固定在所述基底的一侧；第一电极和第二电极，固定于所述压电半导体层上，并与所述压电半导体层（2）形成肖特基接触；以及测量电路，所述测量电路的两端分别电连接至所述第一电极和所述第二电极。本发明通过压电半导体和可随温度变化发生形变的基底的耦合作用，将温度变化转化为输出的电信号的变化，从而可得到高精度的温度传感器。 |
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