| 专利名称 | 低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法 | 申请号 | CN201410058702.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904141A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 汤叶华;周春兰;陈朋;费建明;王文静;王磊;王亚勋;王孟;夏建汉 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法 至低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法，步骤如下：（1）腐蚀、清洗待制备的衬底表面，清洗完成后将衬底表面充分干燥；（2）将步骤(1)制备的清洁衬底浸泡在具有强氧化性的溶液中对硅片表面进行湿法化学氧化，然后将衬底表面充分干燥；（3）采用旋涂、喷涂的方式将0.5～20%wt.的磷盐水溶液沉积在衬底表面，然后烘干；（4）采用丝网印刷方式将磷墨或者硅墨沉积在所述步骤（3）中旋涂有磷源的衬底表面上的电极区域，然后烘干；（5）扩散炉升温，向扩散石英管内导入大氮；当温度达到780-890℃后，将步骤（4）制备的清洁衬底放入扩散石英管恒温区，密封扩散炉炉口。待扩散炉温度稳定后，向扩散石英管内通入氧气；（6）扩散过程结束后将衬底取出冷却。 |
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