| 专利名称 | 二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 | 申请号 | CN201410056684.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904210A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 孔祥东;李晓娜;韩立;初明璋;许壮 | 主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 至二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式（三明治型）二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结，S代表超导层。 |
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