| 专利名称 | 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 | 申请号 | CN201410112734.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904134A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 康贺;王晓亮;肖红领;王翠梅;冯春;姜丽娟;殷海波;崔磊 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 至基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。 |
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