| 专利名称 | 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 | 申请号 | CN201410155903.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904209A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 祁洋洋;张明亮;王珍;王晓东;杨富华 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 至基于纳米线的平面热电器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P++层；在P++层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻；在电极引线附近开孔，暴露出部分P++层；在暴露出的部分P++层和电极引线上分别沉积第二金属材料层；在整个表面沉积第二绝缘材料层；暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；刻蚀所述条形结构使其变成纳米线结构；从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构。 |
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