| 专利名称 | 一种具有网状外延结构的超结MOSFET | 申请号 | CN201410123064.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904120A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙博韬;王立新;宋李梅;张彦飞;高博 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有网状外延结构的超结MOSFET 至一种具有网状外延结构的超结MOSFET | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结型场效应管JFET区相间生长在网状外延层顶部；栅介质层覆盖在阱区与结型场效应管JFET区顶部；多晶硅栅极覆盖在栅介质层上；隔离介质层覆盖多晶硅栅极顶部；金属源电极覆盖所述隔离介质层；金属漏电极位于衬底底部。本发明通过网状外延层，使得器件处于阻断状态时，不存在由外延层底部直接指向表面栅极附近的电场，从而避免器件处于阻断状态并受到重离子轰击时，由外延层底部流向表面栅极附近的电流通路，提高器件抗单粒子能力。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障