| 专利名称 | 一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法 | 申请号 | CN201410147878.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103903964A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F1/80(2012.01)I | 专利有效期 | 一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法 至一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物。本发明利用常温刻蚀各向异性好且刻蚀参数便于控制，以及高温刻蚀能方便去除聚合物等残余物质的优点，得到无聚合物残留的垂直侧壁，且不增加额外的工艺过程并与传统的硅基半导体工艺兼容。 |
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