| 专利名称 | 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 | 申请号 | CN201410112197.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103904161A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 苏艳梅;种明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 至双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中，使得两个波段都有高的光栅耦合效率，提高器件的性能。 |
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