| 专利名称 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 | 申请号 | CN201410121076.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103898600A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓惠勇;郭建华;刘雨从;胡古今;戴宁 | 主分类号 | C30B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/00(2006.01)I;C30B19/06(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 至一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法，该方法包括母液提纯和外延生长二个步聚，依次是：将原料Ga和GaAs放入石墨舟，抽真空、通氢气，调控上段炉与下段炉形成稳定的温差，开始提纯母液；提纯后，打开阀门，使得石墨舟左侧室上部的母液流入右侧室，调控炉与上段炉温度相同，待母液匀化后，移开档板，插入衬底控制杆至衬底浸入母液，以恒速降温，开始外延生长，结束后拉动控制杆至衬底离开液面，转动控制杆，甩掉残留母液，冷却至室温。本发明的优点是：提纯步骤降低了薄膜的杂质含量，扩大了应用范围，并且工艺简单，可大规模量产。 |
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