| 专利名称 | 离子注入系统 | 申请号 | CN201210567496.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103903943A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 窦伟;李超波;邹志超 | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 离子注入系统 至离子注入系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子注入系统，包括一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；所述加热盘设置在所述基片台的第一部分上，且通过所述第二部分与注入电极连接。本发明提供的离子注入系统，在低能掺杂注入的过程中通过加热盘对基片台上的硅片进行加热，使硅片表面浅层的掺杂离子在加热盘的加热下向深层进行扩散，从而避免掺杂离子在硅片表面浅层达到饱和后而难以继续进行低能掺杂注入，同时在加热盘对硅片进行加热的过程中，一定程度的修复了硅片在注入过程中的晶格损伤。 |
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