| 专利名称 | 一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置 | 申请号 | CN201210575352.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103901013A | 公开（授权）日 | 2014.07.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 祁志美;胡德波;逯丹凤 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | 专利有效期 | 一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置 至一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法，所述方法将待测薄膜形成于棱镜表面，再将入射光射入棱镜并在棱镜/待测薄膜界面处发生全反射，利用全反射产生的消逝场激发待测薄膜的拉曼信号，然后增大待测薄膜上方覆盖层折射率，用于增强消逝场，最终实现待测薄膜拉曼信号的增强。该方法也可以利用光纤或光波导取代棱镜，通过增强光纤或光波导的消逝场实现待测薄膜拉曼信号的增强。本发明的拉曼信号增强方法操作简单，重复性好，具有良好的表面选择性，消逝场偏振状态灵活可调，覆盖层折射率易于控制，非常适合用于探测单分子吸附层，表面修饰层等固体超薄膜的拉曼信号。 |
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