| 专利名称 | InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201410153659.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103887360A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 蒋洞微;向伟;王娟;邢军亮;王国伟;徐应强;任正伟;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 至InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极接触层和盖层，该外延结构的两侧经刻蚀形成台阶；金属上电极，形成于台阶的上方；金属下电极，形成于台阶的下方；以及钝化层；其中，本征吸收层由若干个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb超晶格结构构成。本发明中，本征吸收层每个超晶格周期的两个界面中均插入InSb，形成应变超晶格，有效的平衡了超晶格与衬底之间的应力，提高了材料的生长质量，从而提高探测器的光电性能。 |
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