| 专利名称 | 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法 | 申请号 | CN201210563466.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103884927A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 郭敬东;祝清省;刘志权;崔学顺;吴迪;张磊;曹丽华 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法 至一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法，属于微电子产品可靠性测试与寿命预测技术领域。该方法步骤为：（1）测量待测样品的初始电阻，设定电阻变化阈值；（2）在恒温条件下对测试样品施加电流载荷，测试样品的电阻变化，进一步得出电迁移指数前因子A、电流常数n和电迁移激活能Qem；（3）在温度循环载荷下测试样品的电阻变化，进一步得出非弹性剪切应变范围Δγ0，疲劳延性指数c，疲劳延性系数εf；（4）在温度循环载荷和电流载荷耦合作用下测试样品的电阻变化，进一步得出指数前耦合因子β和电流耦合因子l；（5）对应不同电流密度和温度循环条件，根据公式（3）计算微电子产品的服役寿命。 |
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