| 专利名称 | 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 | 申请号 | CN201410157558.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103885010A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵建华;王海龙 | 主分类号 | G01R33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/12(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 至用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统。该SQUID密封腔系统包括：样品腔；样品杆，伸入样品腔内，待测样品固定在其下段的样品托上；传输台，与样品腔密封连接；密封柱状体，包括：两侧开口的柱状体内筒，其下侧密封固定于传输台；单侧开口的柱状体外筒，其下侧开口，套接与柱状体内筒的外侧，且两者之间通过挤压O型橡胶密封圈实现密封，其上方开孔；快接接头，密封固定于柱状体外筒上方的开孔，该快接接头具有若干个导电针；其中，导线由待测样品的相应测试点引出，通过快接接头上的导电针由样品腔内引出。本发明实现了SQUID密封腔系统样品腔内导线的接入，有利于实现磁学和电学性质的同步测量。 |
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