| 专利名称 | 异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法 | 申请号 | CN201410125843.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103885121A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘瑞丹;王玥;吴远大;安俊明 | 主分类号 | G02B6/132(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/132(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/34(2006.01)I;H04J14/02(2006.01)I | 专利有效期 | 异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法 至异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法，包括：去掉S0I基片上的部分顶层硅；在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料，暴露出顶层硅；在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导，该脊型波导的一侧为第一平板波导区，另一侧为第二平板波导区；掺杂，形成P型掺杂区和N型掺杂区；在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层；淀积金属电极，完成制备。本发明可以实现基于同一S0I基平台的低损耗、低功耗、高响应速度的二氧化硅阵列波导光栅和S0I可调光衰减器阵列的异质集成芯片的制作。 |
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