| 专利名称 | SiAlON薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210563617.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103880432A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘光辉;刘茜;周真真;魏钦华;杨华 | 主分类号 | C04B35/599(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/599(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | SiAlON薄膜及其制备方法 至SiAlON薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7-35.6％的Si，10.8-13.4％的Al，19.3-57.5％的O，以及3.9-31.7％的N，所述薄膜还额外包含1-3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。本发明还提供了用来制备该薄膜的方法。 |
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