| 专利名称 | 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法 | 申请号 | CN201410155237.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103878145A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李冬梅;周磊;梁圣法;李小静;张浩;谢常青;刘明 | 主分类号 | B08B3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B3/12(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法 至一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法，包括如下步骤：使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干；使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干；将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。利用本发明，压缩酸性清洗流程的时间并延长碱性清洗流程的时间，同时利用更为有效的兆声清洗替代传统的超声清洗，解决了切割处理后硅酸镓镧晶片的清洗问题，提高了硅酸镓镧晶片表面的清洁度，取得了较好的清洗效果。 |
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