| 专利名称 | 硅通孔的制作方法 | 申请号 | CN201210553436.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103879951A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 焦继伟;王敏昌 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 硅通孔的制作方法 至硅通孔的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅通孔的制作方法，在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层，其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处；而后，在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽，而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层；再背面减薄所述基板直至暴露所述凹槽，形成填充有外延层及绝缘层的硅通孔。本发明采用外延生长的硅材料来填充硅通孔，一方面，硅通孔的填充物致密性很高，提高了器件的可靠性；另一方面，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；同时本发明硅通孔的外延层填充物中存在单晶硅，解决了单纯使用多晶硅填充造成的填充物与重布线层的连线的接触电阻较大的问题。 |
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