| 专利名称 | ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法 | 申请号 | CN201410154760.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103882410A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵万顺;张峰;王雷;曾一平 | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法 至ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。 |
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