| 专利名称 | 用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201410132967.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103887163A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张峰;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 专利有效期 | 用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 至用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法，包括：将一SiC衬底清洗；将一AlN薄膜沉积到清洗后的SiC衬底上；将AlN薄膜氧化为AlxOyNz薄膜，通过氧化工艺控制，选择将AlN薄膜完全氧化成AlxOyNz薄膜，或者部分氧化成AlxOyNz薄膜，形成AlN/AlxOyNz一种栅介质层；将一Al2O3薄膜淀积到AlxOyNz薄膜上，形成AlxOyNz/Al2O3和AlN/AlxOyNz/Al2O3两种叠栅介质层；对得到的三种叠栅介质层进行氩气退火然后冷却；在退火后的三种叠栅介质层上溅射或蒸镀金属电极，形成MOS器件结构，完成制备。本发明制备的栅介质薄膜，具有介电常数高、界面态密度低和载流子迁移率高等缺点。 |
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