| 专利名称 | 一种薄膜封装系统 | 申请号 | CN201320892034.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203659835U | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01L23/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/28(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种薄膜封装系统 至一种薄膜封装系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种薄膜封装系统，包括工艺气体输入部分、沉积腔室、ICP等离子体电源和基片台，所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，所述基片台设置在沉积腔室内。该系统同时具有PECVD气路输入部分和ALD气路输入部分，使本实用新型兼具PECVD设备可快速沉积的优势以及ALD设备可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障