| 专利名称 | 一种PECVD系统 | 申请号 | CN201320892004.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203653697U | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 专利有效期 | 一种PECVD系统 至一种PECVD系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种PECVD系统，包括沉积腔室、前驱体输入气路、反应气体输入气路，所述前驱体输入气路和反应气体输入气路都与沉积腔室连接，所述前驱体输入气路和所述反应气体输入气路上都具有控制气体输入的普通阀，所述前驱体输入气路和/或所述反应气体输入气路的普通阀上通过管道并连脉冲阀。实现了PECVD方法和脉冲流量PECVD方法的结合，也实现了制备速度可控、快速沉积较高质量的薄膜。 |
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