| 专利名称 | 介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201410035556.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103872580A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张星;宁永强;张建伟;张建;秦莉;王立军 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I | 专利有效期 | 介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法 至介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体激光器领域，解决现有技术存在的工艺精度低、可靠性差以及性能一致性差的问题。本发明的结构包括从下至上排列的N面电极、衬底层、N型DBR层、有源层、介质薄膜电流限制层、P型DBR层和P面电极；本发明的方法为在衬底层上依次生长N型DBR层和有源层，将N型DBR层和有源层刻蚀成圆柱形台面，并暴露出衬底层，在圆柱形台面的表面以及衬底层的表面生长介质薄膜电流限制层，在质薄膜电流限制层刻蚀出电流限制窗口并暴露出有源层；在介质薄膜电流限制层的上表面及有源层的上表面外延生长P型DBR层；分别在P型DBR层的上表面和衬底层的下表面制作P面电极和N面电极。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障