| 专利名称 | 一种TI-IGBT器件 | 申请号 | CN201310697677.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103872053A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文亮;朱阳军;田晓丽;喻巧群 | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种TI-IGBT器件 至一种TI-IGBT器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种TI-IGBT器件，包括器件衬底，所述衬底的正面为MOS元胞，所述衬底的反面为集电极金属，所述器件衬底为所述器件的N-漂移区，在所述N-漂移区下方设有N+缓冲层，所述N+缓冲层下方为集电区，所述集电区与所述集电极金属连接并形成欧姆接触。所述N+缓冲层与所述集电区之间还设有缓冲层。这种新型结构可以减小TI-IGBT集电极尺寸，大大改善了TI-IGBT内部电流的均匀性，有效抑制了回跳，提高了芯片的可靠性。 |
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