| 专利名称 | 一种导电互联的方法 | 申请号 | CN201210546509.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103871957A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 陈征;林剑;崔铮 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种导电互联的方法 至一种导电互联的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种导电互联的方法包括：S1、在基底上布置透明氧化物导电层，获得互不连通的两导电块；S2、在两导电块及基底上覆盖绝缘层；S3、在对应两导电块上方的绝缘层区域制作穿通剂图案；S4、加热处理穿通剂图案，实现两导电块的导电互联。本发明提供的导电互联的方法，避免了图案化绝缘层且能实现绝缘层上下的导电连接；绝缘层采用整个基底淀积，容易获得均匀的绝缘层；采用透明氧化物导电层使得可以采用光波加热来实现穿通，从而降低衬底温度和非穿通区域的温度；透明氧化物导电层可以方便的形成透明电子电路，工艺温度较低，也易于采用印刷方法制作。 |
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