| 专利名称 | 温度熔断器及其制备方法 | 申请号 | CN201210527828.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103871780A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 林剑;聂书红;崔铮 | 主分类号 | H01H37/76(2006.01)I | IPC主分类号 | H01H37/76(2006.01)I;H01H11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 温度熔断器及其制备方法 至温度熔断器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种温度熔断器，包括：绝缘基底；位于绝缘基底上的温度敏感层，所述温度敏感层为绝缘材料，其在受热时发生形变或熔化；形成于温度敏感层上的导电层，所述导电层在所述温度敏感层形变或熔化时切断；电性连接于所述导电层两端的第一电极和第二电极。熔断器在工作过程中由于温度敏感层的受热变形而导致导电层被切断，从而迅速失去导电性；该熔断器结构简单，制作工艺简便，成本低廉，利于与印刷电子产品的整合；该熔断器还具有较高的透光性，可用于对透光性有特定要求的电子产品。 |
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