| 专利名称 | 碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 | 申请号 | CN201210544357.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103871802A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 陈婷;洪序达;陈垚;孙竹;桂建保;郑海荣 | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 至碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法，包括：S1、制备碳纳米管/TiC/Ti复合材料；S2、将碳纳米管/TiC/Ti复合材料和纳米填充颗粒按质量比5：1-1：5混合，混合物加入到有机溶剂中，并采用超声进行分散，形成第一浆料；S3、在银电极上移植第一浆料，形成碳纳米管复合薄膜；S4、在200°C-600°C的温度下，将碳纳米管复合薄膜放入烧结炉进行真空烧结或还原气氛烧结，其中，烧结时间在15分钟以上；S5、利用腐蚀剂腐蚀除去碳纳米管复合薄膜烧结后表面的Ti，露出碳纳米管/TiC发射尖端，并形成碳纳米管复合薄膜场发射阴极。该方法制备的碳纳米管复合薄膜场发射阴极结构增强了碳纳米管发射体与基体粘附力和电接触、改善了场发射性能。 |
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