| 专利名称 | 用于增加原子层沉积前驱体数量的方法 | 申请号 | CN201210532057.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866278A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卢维尔;夏洋;李超波;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 用于增加原子层沉积前驱体数量的方法 至用于增加原子层沉积前驱体数量的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种用于增加原子层沉积前驱体数量的方法，其包括将衬底基片进行表面处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；将载气通入不同反应物瓶内，通过载气带出的反应物在溶剂瓶内进行反应，而生成前驱体；将前驱体输送到原子层沉积反应腔中进行薄膜的沉积。本发明提供的用于增加原子层沉积前驱体数量的方法采用不同反应物通过载气输运到溶剂瓶中发生化学反应来生成前驱体的方法，可以在满足ALD沉积条件的同时，增加ALD沉积技术的前驱体范围。 |
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