| 专利名称 | 一种等离子体浸没离子注入系统 | 申请号 | CN201210533994.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866394A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵丽莉;邹志超;窦伟;李超波 | 主分类号 | C30B31/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B31/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体浸没离子注入系统 至一种等离子体浸没离子注入系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述等离子体浸没离子注入系统还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，所述加热装置用于将所述注入源中的单质金属气化，本发明通过利用金属或者金属氧化物在不同温度下的饱和蒸汽压不同的特性，将注入源中的单质金属气化成单质金属气体，进而实现了有效产生金属等离子体，具有离子注入品质高的技术效果。 |
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