| 专利名称 | 一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法 | 申请号 | CN201210530718.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866266A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张阳;董亚斌;卢维尔;解婧;李超波;夏洋 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法 至一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，属于氧化锌薄膜制备技术领域。所述方法包括：原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；原子层沉积设备通入含铝源气体和含氧源气体，在氧化锌薄膜表面生长氧化铝层。本发明可以简单地抑制氧化锌形核生长，制备出性能完整、具有极低表面粗糙度的氧化锌薄膜。 |
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