| 专利名称 | 柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法 | 申请号 | CN201210550894.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866251A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张俊彦;张斌 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法 至柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法，多层多组分类金刚石薄膜组成Cr+CrTi+CrTiN+CrTi/CrTiC+CrTiC/DLC；采用多靶脉冲磁控溅射方法，经过超声波清洗和真空系统中氩等离子体溅射清洗柱塞；溅射沉积Cr+CrTi层；反应磁控溅射沉积CrTiN+CrTi/CrTiC梯度层层；反应溅射溅射CrTiC/DLC功能层，最后在柱塞表面形成类金刚石薄膜。 |
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