| 专利名称 | 用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210531988.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866270A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法 至用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，通过ALD逐层循环的生长方式生长Te-N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。 |
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