| 专利名称 | 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法 | 申请号 | CN201210533437.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866273A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卢维尔;夏洋;李超波;董亚斌 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法 至原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障