| 专利名称 | 利用原子层沉积制备薄膜的方法 | 申请号 | CN201210552777.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866285A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 解婧;李超波;夏洋 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 利用原子层沉积制备薄膜的方法 至利用原子层沉积制备薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用原子层沉积制备薄膜的方法，所述方法通过前驱体源及温度调控数据库来识别前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源，并根据识别出的前驱体源来控制反应腔室和样品的温度，可以实现在保证腔室真空度的情况下，抑制反应腔室各处的寄生化学气相沉积（CVD）反应，使成膜基底处于最优的原子层沉积所需温度，充分吸附所需前驱体源，同时解吸附需要排除的副产物，由此制备高质量的薄膜材料。 |
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