| 专利名称 | 一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201410011278.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866253A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 杨晔;王木钦;黄金华;兰品军;宋伟杰 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法 至一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法，该超薄AZO透明导电薄膜从下至下依次包括基片、锌层和AZO层，锌层和AZO层的总厚度小于120nm，其中锌层的厚度为2～10nm，AZO层的厚度为35～100nm。本发明中采用磁控溅射法在基片上沉积得到锌层和AZO层，并对沉积后的薄膜进行快速特退火，通过设定退火条件，使锌层中的锌原子渗透进入AZO层并形成Zni缺陷，从而提高载流子浓度，且在锌层和AZO层的沉积过程中沉积温度不高于200℃，节省生产能耗，降低了生产成本，提高了生产效率，适用于工业生产。本发明的超薄AZO透明导电薄膜的电阻率为13～3.8×10-4Ω·cm，载流子浓度为5.0～13.8×1020cm-3，380～800nm，平均透过率（含基片）为70～88%。 |
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