| 专利名称 | 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法 | 申请号 | CN201210533124.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103866279A | 公开（授权）日 | 2014.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卢维尔;夏洋;李超波;张阳;董亚斌 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 专利有效期 | 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法 至原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法，其包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N-As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N-As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。 |
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