| 专利名称 | 形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 | 申请号 | CN201210500533.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103854980A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 至形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体衬底，包括N型区域和P型区域；在N型区域和P型区域上分别形成牺牲栅堆叠，每个牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质和牺牲栅电极，牺牲栅电极位于牺牲栅介质上，所述N型区域中的牺牲栅电极高于P型区域中的栅电极；环绕每一个牺牲栅堆叠形成侧墙；在半导体衬底中位于牺牲栅堆叠两侧处形成源/漏区；去除N型区域中牺牲栅堆叠以在侧墙内形成第一开口；在所述第一开口内形成N型替代栅堆叠；去除所述P型区域中的牺牲栅堆叠以形成第二开口；在第二开口内形成P型替代栅堆叠；以及平坦化至暴露N型替代栅堆叠。该方法工艺简单。 |
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