| 专利名称 | 多级电阻转换存储单元及存储器 | 申请号 | CN201210517155.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855301A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾怡峰;宋志棠;席韡;宋三年;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 多级电阻转换存储单元及存储器 至多级电阻转换存储单元及存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。 |
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