| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210505754.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855093A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体鳍片；在半导体鳍片的顶部表面和侧壁上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以使掺杂剂扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 |
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