| 专利名称 | 等平面场氧化隔离结构及其形成方法 | 申请号 | CN201210521736.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855072A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 等平面场氧化隔离结构及其形成方法 至等平面场氧化隔离结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种等平面场氧化隔离结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成第一氮化硅层；进行图案化，在预定区域形成开口，露出所述衬底；在所述开口中去除所述衬底的部分，以形成凹槽；在所述凹槽的内壁形成氮化硅侧墙；在所述凹槽内生长场氧化层；使所述场氧化层的表面与所述凹槽外所述衬底的表面平齐；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化硅层和所述氧化硅层。根据本发明的方法可获得等平面场氧化隔离结构；同时，在凹槽的内壁形成有氮化硅侧壁，可以防止横向的过氧化，保持有源区域面积不变。 |
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