| 专利名称 | 平坦化处理方法 | 申请号 | CN201210505359.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103854965A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;罗军;李春龙;邓坚;赵超 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 专利有效期 | 平坦化处理方法 至平坦化处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：在材料层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及对材料层进行溅射，以使材料层平坦。 |
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