| 专利名称 | 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201410103363.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855305A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 北京科技大学;中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 王丽萍;谢晓冬;于贵;张卫锋;朱明山;郭云龙;陈鹏磊;刘鸣华 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法 至一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法，属于半导体材料器件领域。其特征是利用含氟石墨烯作为修饰层，采用有机半导体材料作为半导体层，制备底栅底电极结构（BGTC）的有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法中含氟石墨烯可以提高器件的性能。所制备的含氟石墨烯修饰层的三异丙基硅乙炔取代的并四苯并噻吩（TIPSEthiotet）和并五苯器件具有高的光响应性和光敏感性。 |
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