| 专利名称 | 一种IGBT器件及其形成方法 | 申请号 | CN201210499322.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855197A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 | 发明（设计）人 | 褚为利;朱阳军;张文亮;王波;谈景飞 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT器件及其形成方法 至一种IGBT器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。 |
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