| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | 申请号 | CN201210520026.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855026A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种FinFET及其制造方法，其中该制造FinFET的方法，包括：形成半导体鳍片，该半导体鳍片具有梯形的横截面形状；形成源区和漏区中的一个；形成牺牲侧墙；以牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区中的另一个；去除牺牲侧墙；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体鳍片隔开。 |
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