| 专利名称 | 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 申请号 | CN201210509428.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103854984A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;李俊峰;闫江;赵超 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 至一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能改善栅极线条粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。 |
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