| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201210505744.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103854982A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;朱慧珑;许高博;周华杰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上限定有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层上形成假栅层；将假栅层、第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；形成源/漏区，去除假栅层以形成栅极开口；在第一金属栅层中注入掺杂离子；在第一金属栅层上形成第二金属栅层以填充栅极开口；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 |
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