一种功率半导体芯片测试工装

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专利名称 一种功率半导体芯片测试工装 申请号 CN201410076873.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103852707A 公开(授权)日 2014.06.11 申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 张瑾;仇志杰;温旭辉 主分类号 G01R31/26(2014.01)I IPC主分类号 G01R31/26(2014.01)I 专利有效期 一种功率半导体芯片测试工装 至一种功率半导体芯片测试工装 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种功率半导体芯片测试工装,其上盖板(04)顶部的中间位置安装有三组大电流探针(06)和六组测量探针(07);负电极片(12)和第一垫块(08)分别穿过一组大电流探针和两组大电流探针与上盖板(04)的顶部接触。第一垫块(08)位于负电极片(12)的右侧,负电极片(12)的上方依次叠放有公共点电极片(13)和正电极片(11);第二垫块(09)放置在公共点电极片(13)的上方,第二垫块(09)左侧的第三垫块(10)放置在负电极片(12)的上方;正电极片、公共点电极片和负电极片固定在上盖板(04)上;负电极插头(16)、公共点电极插头(15)和正电极插头(14)分别与负电极片(12)、公共点电极片(13)以及正电极片(11)相连。

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