| 专利名称 | 一种逆导型IGBT器件及其形成方法 | 申请号 | CN201210500942.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855198A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌;卢烁今 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 一种逆导型IGBT器件及其形成方法 至一种逆导型IGBT器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区，从而使得所述集电区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，且所述短路区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，进而降低所述集电极与其表面金属层的接触电阻，提高所述逆导型IGBT器件的性能。 |
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