| 专利名称 | 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 | 申请号 | CN201410058985.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103849853A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冯玉霞;杨少延;魏鸿源;焦春美;孔苏苏 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 至缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。 |
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